KRi 射频离子源 RFICP 220 助力光学薄膜技术发展
上海伯东美国kri 高能量射频离子源rficp 220 应用于光学镀膜机, 增强光学基片反射及透射率, 助力光学薄膜技术发展.
kri射频离子源在光学镀膜机中的作用
设备: 自主搭建光学镀膜机, 光学薄膜强激光装置组成部分之一
美国进口高能射频离子源: rficp 220
作用: 通过玻璃镜片表面清洁 pre-clean 和辅助镀膜 ibad 工艺, 增强光学基片反射及透射率. 从而加强激光束, 对薄膜内部进行杂质和缺陷消除, 解决光学薄膜内部因存在杂质与缺陷导致的激光损伤问题
真空环境下,kri 射频离子源通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子 / 分子的流动性, 实现薄膜的致密化或通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到需要的材料. 同时kri 射频离子源可以对工艺过程优化, 无需加热衬底,对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积.
上海伯东美国 kri射频离子源rficp 220 :高能量射频离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻.满足 200 mm (8英寸) 晶圆应用.射频离子源rficp 220 可以很好的控制离子束沉积或溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 标准配置下rficp 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 ma.
阳极
电感耦合等离子体
2kw & 2 mhz
射频自动匹配
阳极功率
>1kw
离子束流
> 1000ma
电压范围
100-1200v
离子束动能
100-1200ev
气体
ar, o2, n2, 其他
流量
5-50 sccm
压力
< 0.5mtorr
离子光学, 自对准
optibeamtm
离子束栅极
22cm φ
栅极材质
钼
离子束流形状
平行,聚焦,散射
中和器
lfn 2000 orrfn
高度
30 cm
直径
41 cm
锁紧安装法兰
10”cf
1978 年 dr. kaufman 博士在美国创立 kaufman & robinson, inc 公司, 研发生产考夫曼离子源,霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经40 年改良及发展已取得多项成果.kri 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能, 广泛用于离子清洗 pc, 离子蚀刻 ibe, 辅助镀膜 ibad, 离子溅射镀膜 ibsd 领域.上海伯东是美国kri 离子源中国总代理
若您需要进一步的了解kri 离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗小姐
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真空环境下,kri 射频离子源通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子 / 分子的流动性, 实现薄膜的致密化或通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到需要的材料. 同时kri 射频离子源可以对工艺过程优化, 无需加热衬底,对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积.
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阳极
电感耦合等离子体
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阳极功率
>1kw
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> 1000ma
电压范围
100-1200v
离子束动能
100-1200ev
气体
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流量
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压力
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22cm φ
栅极材质
钼
离子束流形状
平行,聚焦,散射
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高度
30 cm
直径
41 cm
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1978 年 dr. kaufman 博士在美国创立 kaufman & robinson, inc 公司, 研发生产考夫曼离子源,霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经40 年改良及发展已取得多项成果.kri 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能, 广泛用于离子清洗 pc, 离子蚀刻 ibe, 辅助镀膜 ibad, 离子溅射镀膜 ibsd 领域.上海伯东是美国kri 离子源中国总代理
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