(1)碘化铯1一般原理:首先将x射线通过荧光介质材料转换为可见光,然后通过光敏元件将可见光信号转换为电信号,最后通过a/d将模拟电信号转换为数字信号。具体原理:曝光之前,阳离子被存储在硅表面上以产生均匀的电荷,从而在硅表面上产生电子场;
2.曝光期间,在硅中产生电子-空穴对,并向表面释放自由电子,从而在硅表面产生了潜在的电荷像,并且每个点的电荷密度等于局部x射线强度。
3.曝光后,x射线图像存储在每个像素中;
4.半导体转换器读取每个元素并完成模数转换。
优点:
1.转换效率高;
2.动态范围广;
3.高空间分辨率;
4.在低分辨率区域具有较高的x射线吸收率(因为其原子序数高于非晶硒的原子序数);
5.环境适应能力强。
缺点:
1.高剂量dqe不如无定形硒。
2.由于荧光转换层而引起的轻微散射效应;
3.清晰度相对于非晶态硒略低。
(2)非晶硒型
一般原理:光电导半导体将接收到的x射线光子直接转换为电荷,然后通过薄膜晶体管阵列将电信号读出并数字化。
具体原理:
1.x射线入射光子激发非晶硒层中的电子-空穴对;
2.电子和空穴在外部电场的作用下以相反的方向移动以产生电流。电流的大小与入射的x射线有关。光子数成正比;
3.这些电流信号被存储在tft的电极间电容上,并且每个tft和电容形成像素单元。
优点:
1.转换效率高;
2.动态范围广;
3.高空间分辨率;
4.清晰度好;
缺点:
1.x射线吸收率低,在低剂量条件下不能保证图像质量。增加x射线剂量不仅会增加疾病来源射线吸收了,对了x射线系统要求太高。
2.硒层对温度敏感,使用条件有限,环境适应性差。
(三)ccd型
一般原理:增强屏幕用作x射线交互介质,并添加ccd以数字化x射线图像。
具体原理:以mos电容器类型为例:在p型si的表面形成一层sio2,然后在其上蒸镀一层多晶硅作为电极,并在p-上施加电压。电极的si型衬底,以在电极a的低势能区或势阱下形成它。势阱的深度与电压有关。电压越高,势阱越深。光生电子存储在势阱中。光生电子的数量与光的强度成正比。因此,存储的电荷量也反映了该点的亮度。存储在数百万个感光单元中的电荷形成与该图像相对应的电荷图像。
优点:
1.高空间分辨率;
2.几何变形小;
3.均匀性好。
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