hakuto 离子刻蚀机 20IBE 刻蚀滤波器钽酸锂晶片
安徽某晶体厂商采用hakuto离子刻蚀机20ibe-j刻蚀滤波器钽酸锂晶片,采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题,使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm.
hakuto离子蚀刻机20ibe-j技术参数:
φ4 inch x 12片
基片尺寸
φ4 inch x 12片
φ5 inch x 10片
φ6 inch x 8片
均匀性
±5%
硅片刻蚀率
20 nm/min
样品台
直接冷却,水冷
离子源
φ20cm考夫曼离子源
hakuto离子刻蚀机20ibe-j的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国考夫曼博士创立的kri考夫曼公司的射频离子源rficp220
伯东kri射频离子源rficp 220技术参数:
离子源型号
rficp 220
discharge
rficp射频
离子束流
>800 ma
离子动能
100-1200 v
栅极直径
20 cm φ
离子束
聚焦,平行,散射
流量
10-40 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型压力
< 0.5m torr
中和器
lfn 2000
晶体滤波器的用途越来越广泛,尤其在通信机和雷达设备中,都需要高频率、大带宽的晶体滤波器.目前,晶体滤波器使用的主要材料是石英晶体,由于其具有高品质因数(q)值、良好的温度稳定性和时间稳定性,在精度要求很高的窄带滤波器中具有很大的优越性.
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