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东芝开发高导热氮化铝陶瓷基片
日本东芝综合研究所开发出了组装超大规模集成电路所*的高性能陶瓷片——氮化铝陶瓷基片,其导热性能可提高50%以上,能地逸散大型元件如大规模集成电路的热量。氮化铝原料为粉末,在陶瓷烧结时很困难,需加1~7%的氧化钇作助溶剂;烧结后,再在石墨容器中进行处理。因石墨的碳原子起还原作用,可清除钇——铝氧化物杂质,而形成氮化铝陶瓷。制成氮化铝陶瓷基片后,可用在不需要散热片的特殊结构上,并在电子器件小型化和降低成本方面发挥重要作用。
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