光敏二极管伏安特性实验仪光强测量范围：0-1900LUX
实验项目：光敏二极管基本特性的测量光强测量范围：0-1900lux电流测量：10-4a、10-5a、10-6a, 三位半数显电压输出：2-18v电压测量：0-19.99v, 三位半数显
实验内容: (1) 了解硅光电池的基本结构及基本原理；(2)研究硅光电池伏安特性、硅光电池短路电流与开路电压、相对强度的关系lxw-tynii硅光电池基本特性实验仪硅光电池半导体光源，暗箱电压测量范围：0-1.999v, 0-19.99v, 三位半数显电流测量范围：0-1.999ma, 0-19.99a, 三位半数显负载电阻：0-9999ω光强测量范围:0-1900lux
lxw-gr2光敏电阻基本特性测量仪
实验内容：光敏电阻照度特性测量；光敏电阻的伏安特性测量,光敏电阻频谱特性测量光强测量范围：0-1900lux光谱组:625nm、 590nm、460nm、525nm电流测量：0-19.99ma 三位半数显电压测量：0-19.99v 三位半数显
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