KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean应用
上海伯东代理美国kri 考夫曼离子源适用于安装在 mbe 分子束外延, 溅射和蒸发系统, pld 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等！
kri 离子源预清洁可以实现
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留
去除化学吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100å
kri 考夫曼离子源表面预清洁 pre-clean 应用
实验条件: 8寸硅片带铜膜, 通氩气, 60s
污染物清除: 有机物,吸附气体
数据来源: 俄歇电子能谱 auger spectra, 美国 kri 原厂资料
kri 考夫曼离子源表面预清洁 pre-clean 应用
实验条件: 轻蚀刻, 硅片去除很薄的金属膜, 通氩气
污染物清除: 去除金属薄膜 (w/ ni/fe)
数据来源: 美国 kri 原厂资料
1978 年 dr. kaufman 博士在美国创立 kaufman & robinson, inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源,霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经40 年改良及发展已取得多项专.
上海伯东美国 kri 离子源广泛用于离子清洗 pc, 离子蚀刻 ibe, 辅助镀膜 ibad, 离子溅射镀膜 ibsd 和离子束抛光工艺 ibf 等领域,上海伯东是美国 kri考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解 kri考夫曼离子源, 请参考以下联络方式
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