VACUUM DEVICE磁控溅射原理分析
vacuum device磁控溅射原理分析
真空工业中的溅射是指用正离子轰击目标金属，使目标金属的颗粒飞散并沉积在物体上。本页简要说明了我们产品中主要使用的磁控溅射原理和其他具有代表性的溅射方法。
散射粒子的溅射技术有多种，但我们的溅射设备采用磁控溅射技术，溅射效率高。
原理是先在真空中产生等离子体。等离子体是一种不稳定的状态，其中带正电的气体离子原子（正离子）和带负电的自由电子自由循环。由于放置在目标后面的磁铁的作用力，它被密集地捕获在磁场中。在此磁场中来回移动的正离子一个接一个地与靶表面的负电势发生碰撞。由此弹开（溅射）的目标金属粒子将飞向样品。即，通过借用磁铁的力量，能够以较少的电力高效地产生等离子体，正离子聚集在磁场强的地方反复碰撞，成为溅射效率高的成膜方法。
磁控溅射法的特点
由于高密度等离子体区与样品台分离，对样品的损伤小。
沉积率高
目标利用率低。在高血浆密度下消耗更多
目标仅限于导电金属和合金
磁控溅射设备配置图
磁控溅射
相关产品介绍
设备 特征 目标金属
msp-mini
超小型溅射设备
对于光学显微镜，这是适合制作有光泽的 ag 薄膜以及 sem 和台式 sem 预处理的装置。
msp-1s
是一款带有内置泵的紧凑型溅射系统。
也可用于溅射铂靶，可用于高达约50,000倍的高倍率观察。
设备 特征 目标金属
msp-20um
针对各种应用的可调功能。设置条件后，可以使用全自动按钮进行自动沉积。
可选倾斜旋转样品台。提高转弯性能。
配备氩气导入，可镀上更高纯度的贵金属薄膜。
联锁和安全机构也是重要的溅射设备。
msp-20mt
配备φ100mm尺寸的靶电极的4英寸晶圆用溅射装置。
该设备概念基于 msp-20，可对更广泛的样品进行涂层。
该设备专为msp-20tk钨溅射而开发。它还可用于超高分辨率 sem 观察。大容量电源可以溅射贵金属以外的多种金属。
氩气用作气氛气体。风冷磁控管靶可减少样品损坏并防止靶温升。
设备 特征 目标金属
采用磁控靶电极实现了直径200mm的大面积样品台，满足更大尺寸msp-8in硅基板的需求。更大的样品台可同时镀膜8英寸晶圆和多个sem样品，提高检测工作效率。
采用磁控靶电极实现了直径300mm的大面积样品台，满足更大尺寸msp-12in硅基板的需求。更大的样品台可同时镀膜12英寸晶圆和多个sem样品，提高检测工作效率。
关键词：光学显微镜 贵金属
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