干货 | 关于MOS管场效应管，你想知道的都在这里了！
一、场效应管的分类
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（jfet）因有两个pn结而得名，绝缘栅型场效应管（jgfet）则因栅极与其它电极*绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用为广泛的是mos场效应管，简称mos管（即金属-氧化物-半导体场效应管mosfet）；此外还有pmos、nmos和vmos功率场效应管，以及近刚问世的πmos场效应管、vmos功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和p沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和mos场效应晶体管。而mos场效应晶体管又分为n沟耗尽型和增强型；p沟耗尽型和增强型四大类。见下图
二、场效应三极管的型号命名方法
现行有两种命名方法。种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母j代表结型场效应管，o代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，d是p型硅，反型层是n沟道；c是n型硅p沟道。例如,3dj6d是结型n沟道场效应三极管，3do6c是绝缘栅型n沟道场效应三极管。第二种命名方法是cs××#，cs代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如cs14a、cs45g等。
三、场效应管的参数
场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：
1、idss—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压ugs=0时的漏源电流。
2、up—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、ut—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gm—跨导。是表示栅源电压ugs—对漏极电流id的控制能力，即漏极电流id变化量与栅源电压ugs变化量的比值。gm是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、buds—漏源击穿电压。是指栅源电压ugs一定时，场效应管正常工作所能承受的大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于buds。
6、pdsm—大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于pdsm并留有一定余量。
7、idsm—大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的大电流。场效应管的工作电流不应超过idsm
几种常用的场效应三极管的主要参数
四、场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
五、场效应管的测试
1、结型场效应管的管脚识别
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于r×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数kω时，则这两个管脚为漏极d和源极s（可互换），余下的一个管脚即为栅极g。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
2、判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于n沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻*，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
3、估测场效应管的放大能力
将万用表拨到r×100档，红表笔接源极s，黑表笔接漏极d，相当于给场效应管加上1.5v的电源电压。这时表针指示出的是d-s极间电阻值。然后用手指捏栅极g，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，uds和id都将发生变化，也相当于d-s极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
由于人体感应的50hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子rds减小，使表针向右摆动，多数管子的rds增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测mos管。为了保护mos场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。
mos管每次测量完毕，g-s结电容上会充有少量电荷，建立起电压ugs，再接着测时表针可能不动，此时将g-s极间短路一下即可。
目前常用的结型场效应管和mos型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。
六、常用场效用管
1、mos场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（高可达1015ω）。它也分n沟道管和p沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极s接在一起。根据导电方式的不同，mosfet又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当vgs=0时管子是呈截止状态，加上正确的vgs后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当vgs=0时即形成沟道，加上正确的vgs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
以n沟道为例，它是在p型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区n+和漏扩散区n+，再分别引出源极s和漏极d。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1（a）符号中的前头方向是从外向里，表示从p型材料（衬底）指身n型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使vgs=0时，沟道电流（即漏极电流）id=0。随着vgs逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的n型沟道，当vgs大于管子的开启电压vtn（一般约为+2v）时，n沟道管开始导通，形成漏极电流id。
国产n沟道mosfet的典型产品有3do1、3do2、3do4（以上均为单栅管），4do1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。
mos场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（u=q/c），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使g极与s极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
mos场效应管的检测方法
（1）准备工作
测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触mosfet的管脚。hao在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）判定电极
将万用表拨于r×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极g。交换表笔重测量，s-d之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为d极，红表笔接的是s极。日本生产的3sk系列产品，s极与管壳接通，据此很容易确定s极。
（3）检查放大能力（跨导）
将g极悬空，黑表笔接d极，红表笔接s极，然后用手指触摸g极，表针应有较大的偏转。双栅mos场效应管有两个栅极g1、g2。为区分之，可用手分别触摸g1、g2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为g2极。
目前有的mosfet管在g-s极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
mos场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。mos场效应晶体管由于输入阻抗高（包括mos集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：
（1）mos器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装。
（2）取出的mos器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
（3）焊接用的电烙铁必须良好接地。
（4）在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再mos器件焊接完成后在分开。
（5）mos器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。
（6）电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
（7）mos场效应晶体管的栅极在允许条件下，hao接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。
vmos场效应管（vmosfet）简称vmos管或功率场效应管，其全称为v型槽mos场效应管。它是继mosfet之后新发展起来的、功率开关器件。它不仅继承了mos场效应管输入阻抗高（≥108w）、驱动电流小（左右0.1μa左右），还具有耐压高（高可耐压1200v）、工作电流大（1.～100a）、输出功率高（1～250w）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
*，传统的mos场效应管的栅极、源极和漏*大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。vmos管则不同，从左下图上可以看出其两大结构特点:，金属栅极采用v型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以id不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂n+区（源极s）出发，经过p沟道流入轻掺杂n-漂移区，后垂直向下到达漏极d。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型mos场效应管。
国内生产vmos场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有vn401、vn672、vmpt2等。表1列出六种vmos管的主要参数。其中，irfpc50的外型如右上图所示。
vmos场效应管的检测方法
（1）判定栅极g
将万用表拨至r×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为g极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
（2）判定源极s、漏极d
由图1可见，在源-漏之间有一个pn结，因此根据pn结正、反向电阻存在差异，可识别s极与d极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是s极，红表笔接d极。
（3）测量漏-源通态电阻rds（on）
将g-s极短路，选择万用表的r×1档，黑表笔接s极，红表笔接d极，阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同，测出的rds（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表r×1档实测一只irfpc50型vmos管，rds（on）=3.2w，大于0.58w（典型值）。
（4）检查跨导
将万用表置于r×1k（或r×100）档，红表笔接s极，黑表笔接d极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
七、场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
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按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和p沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和mos场效应晶体管。而mos场效应晶体管又分为n沟耗尽型和增强型；p沟耗尽型和增强型四大类。见下图
二、场效应三极管的型号命名方法
现行有两种命名方法。种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母j代表结型场效应管，o代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，d是p型硅，反型层是n沟道；c是n型硅p沟道。例如,3dj6d是结型n沟道场效应三极管，3do6c是绝缘栅型n沟道场效应三极管。第二种命名方法是cs××#，cs代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如cs14a、cs45g等。
三、场效应管的参数
场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：
1、idss—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压ugs=0时的漏源电流。
2、up—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、ut—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gm—跨导。是表示栅源电压ugs—对漏极电流id的控制能力，即漏极电流id变化量与栅源电压ugs变化量的比值。gm是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、buds—漏源击穿电压。是指栅源电压ugs一定时，场效应管正常工作所能承受的大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于buds。
6、pdsm—大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于pdsm并留有一定余量。
7、idsm—大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的大电流。场效应管的工作电流不应超过idsm
几种常用的场效应三极管的主要参数
四、场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
五、场效应管的测试
1、结型场效应管的管脚识别
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于r×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数kω时，则这两个管脚为漏极d和源极s（可互换），余下的一个管脚即为栅极g。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
2、判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于n沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻*，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
3、估测场效应管的放大能力
将万用表拨到r×100档，红表笔接源极s，黑表笔接漏极d，相当于给场效应管加上1.5v的电源电压。这时表针指示出的是d-s极间电阻值。然后用手指捏栅极g，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，uds和id都将发生变化，也相当于d-s极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
由于人体感应的50hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子rds减小，使表针向右摆动，多数管子的rds增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测mos管。为了保护mos场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。
mos管每次测量完毕，g-s结电容上会充有少量电荷，建立起电压ugs，再接着测时表针可能不动，此时将g-s极间短路一下即可。
目前常用的结型场效应管和mos型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。
六、常用场效用管
1、mos场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（高可达1015ω）。它也分n沟道管和p沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极s接在一起。根据导电方式的不同，mosfet又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当vgs=0时管子是呈截止状态，加上正确的vgs后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当vgs=0时即形成沟道，加上正确的vgs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
以n沟道为例，它是在p型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区n+和漏扩散区n+，再分别引出源极s和漏极d。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1（a）符号中的前头方向是从外向里，表示从p型材料（衬底）指身n型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使vgs=0时，沟道电流（即漏极电流）id=0。随着vgs逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的n型沟道，当vgs大于管子的开启电压vtn（一般约为+2v）时，n沟道管开始导通，形成漏极电流id。
国产n沟道mosfet的典型产品有3do1、3do2、3do4（以上均为单栅管），4do1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。
mos场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（u=q/c），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使g极与s极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
mos场效应管的检测方法
（1）准备工作
测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触mosfet的管脚。hao在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）判定电极
将万用表拨于r×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极g。交换表笔重测量，s-d之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为d极，红表笔接的是s极。日本生产的3sk系列产品，s极与管壳接通，据此很容易确定s极。
（3）检查放大能力（跨导）
将g极悬空，黑表笔接d极，红表笔接s极，然后用手指触摸g极，表针应有较大的偏转。双栅mos场效应管有两个栅极g1、g2。为区分之，可用手分别触摸g1、g2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为g2极。
目前有的mosfet管在g-s极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
mos场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。mos场效应晶体管由于输入阻抗高（包括mos集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：
（1）mos器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装。
（2）取出的mos器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
（3）焊接用的电烙铁必须良好接地。
（4）在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再mos器件焊接完成后在分开。
（5）mos器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。
（6）电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
（7）mos场效应晶体管的栅极在允许条件下，hao接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。
vmos场效应管（vmosfet）简称vmos管或功率场效应管，其全称为v型槽mos场效应管。它是继mosfet之后新发展起来的、功率开关器件。它不仅继承了mos场效应管输入阻抗高（≥108w）、驱动电流小（左右0.1μa左右），还具有耐压高（高可耐压1200v）、工作电流大（1.～100a）、输出功率高（1～250w）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
*，传统的mos场效应管的栅极、源极和漏*大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。vmos管则不同，从左下图上可以看出其两大结构特点:，金属栅极采用v型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以id不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂n+区（源极s）出发，经过p沟道流入轻掺杂n-漂移区，后垂直向下到达漏极d。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型mos场效应管。
国内生产vmos场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有vn401、vn672、vmpt2等。表1列出六种vmos管的主要参数。其中，irfpc50的外型如右上图所示。
vmos场效应管的检测方法
（1）判定栅极g
将万用表拨至r×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为g极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
（2）判定源极s、漏极d
由图1可见，在源-漏之间有一个pn结，因此根据pn结正、反向电阻存在差异，可识别s极与d极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是s极，红表笔接d极。
（3）测量漏-源通态电阻rds（on）
将g-s极短路，选择万用表的r×1档，黑表笔接s极，红表笔接d极，阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同，测出的rds（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表r×1档实测一只irfpc50型vmos管，rds（on）=3.2w，大于0.58w（典型值）。
（4）检查跨导
将万用表置于r×1k（或r×100）档，红表笔接s极，黑表笔接d极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
七、场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
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