半导体激光器的原理
半导体激光器的发光是利用光的受激辐射原理。处于粒子数反转分布状态的大多数电子在受到外来入射光子激励时，会同步发射光子，受激辐射的光子和入射光子不仅波长相同，而且相位、方向也相同。这样由弱的入射光激励而得到了强的发射光，起到了光放大作用。 半导体激光器即为激光二极管，记作ld。它是前苏联科学家h.γ.巴索夫于1960年发明的。半导体激光器的结构通常由p层、n层和形成双异质结的有源层构成。
但是仅仅有光放大功能还不能形成光振荡。正如电子电路中的振荡器那样，只有放大功能不能产生电振荡，还必须设计正反馈电路，使电路中所损失的功率由放大的功率得以补偿。同样，在激光器中也是借用电子电路的反馈概念，把放大了的光反馈一部分回来进一步放大，产生振荡，发出激光。
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