利用电子显微镜观察界面生成物与界面处之细微孔洞
利用电子显微镜观察界面生成物与界面处之细微孔洞
銲锡中铜含量对于sn-3.0ag-xcu覆晶銲锡接点之界面反应研究
在本研究中，将探讨150°c之时效处理与介于-55°c至125°c之温度循环测试对于sn-2.3ag与sn-3.0ag-xcu覆晶銲锡接点之界面反应之影响。
在sn-2.3ag或sn-3.0ag-xcu銲锡凸块与晶片间之金属凸块结构为ni/al/cu/sio2，而pcb上之銲锡凸块之结构为au/electroless ni/cu。
此外，銲锡中之铜含量在界面反应中所扮演之角色也是本研究的重点之一。
金线与铝垫间之固态反应研究
在积体线路封装中，晶片与导线架之间的连接目前仍然主要是利用打线接合技术。在本研究中，将探讨150°c时效处理对于au-cu wire/al-cu pad
接点处之界面反应之影响。试片经过研磨、抛光后，再利用pecs （precision etching and coating system）进行离子蚀刻。
试片经过离子蚀刻后，将易于利用场发射电子显微镜（fe-sem）观察界面生成物与界面处之细微孔洞。
实验中发现界面生成物会随着时效处理时间之增加而产生相变化，因此在本研究中将藉由显微结构的观察与定量分析之结果，探讨界面相变化之情形。
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